Una produzione più efficiente dal punto di vista energetico porta prima di tutto ad un risparmio di batteria (ma non solo) per gli utenti finali. Aziende del settore come TSMC hanno già iniziato a pensare alla produzione anche se ci sono problemi di sorta. Samung anche ha iniziato la produzione secondo quanto rivelato dall’azienda stessa ieri tramite un comunicato ufficiale. Il colosso coreano ha quindi lanciato il guanto di sfida all’altro brand. Chi arriverà prima?
Samsung ha iniziato la produzione dei chip di vario tipo con processo litografico a 3 nm. Cosa significa e quando usciranno i primi device?
Secondo Samsung, nonostante una riduzione del 16% nell’area dei chip di nuova generazione rispetto alle soluzioni a 5 nm, le prestazioni dei chip a 3 nm aumenteranno del 23% e l’efficienza energetica del 45%. Durante la creazione di tali microcircuiti, verrà utilizzata l’architettura del transistor Gate-all-round (GAA), che ha ricevuto il nome commerciale Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Combina canali di gate più ampi per consentire il passaggio dell’elettricità abbassando i livelli di tensione rispetto a FinFET.
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Samsung afferma che il nodo di processo a 3 nm offre un design flessibile che gli consente di regolare la larghezza del canale in base alle esigenze dei clienti. Inoltre, è già in corso lo sviluppo della seconda generazione di chip sullo stesso processo tecnico con consumi energetici (50%), prestazioni (30%) e superficie (35%) migliorati.
Samsung non ha ancora confermato quali saranno i clienti per il primo lotto di processori a 3 nm. Secondo alcune indiscrezioni, una volta stabilita la produzione di massa, Qualcomm potrebbe ordinare un lotto di grandi dimensioni per creare piattaforme mobili Snapdragon di prossima generazione. Ricordiamo a tal proposito che Samsung ha annunciato il mese scorso che prevede di spendere 355 miliardi di dollari nei prossimi cinque anni per sviluppare la propria attività di semiconduttori.
